и3

Сток

Исток

Эпоксидная

Si02^ Si3N4

p-Si

Субстрат

'си

Рис. 7.7-3. Схематическое изображение металлоксидного полевого транзистора

ниевые области почти полностью закрыты, так что соединение возможно только через электроды стока и истока. Слой нитрида кремния SiaN4 можно рассматривать в качестве дополнительного пассивирующего слоя (рис. 7.7-3).

Если напряжение l/си приложено между стоком и истоком, ток через соединительный канал не протекает, поскольку канал рп-диода заперт как между электродом истока и подложкой, так и между электродом стока и подложкой. В микросхеме есть, однако, еще один контакт, состоящий из слоя оксида металла («затвор»). Этот слой электрически отделен от подложки с помощью изолятора SiCb-

Если приложить дополнительное напряжение U3 между затвором и подложкой, то в п-канале между n-областями кремния образуется электрическое поле, так что между стоком и истоком протекает ток /си- Величина тока определяется напряжением. Конечно, чтобы получить ток, необходимо минимальное напряжение. Благодаря высокому сопротивлению между затвором и подложкой входной ток пренебрежимо мал. Высокое сопротивление полевого транзистора делает его подходящим входным устройством для рН- и иономе-ров, а также для усиления сигнала в обычных вольтметрах. Влияние напряжения сток-исток существует из-за изменений электрических характеристик транзистора (рис. 7.7-5).

Для создания ион-селективного ПТ исходный затвор следует удалить или заменить другим материалом. При удалении нижний слой Si3N4 действует как проводящий слой. При замене новым ион-селективным слоем, например мембраной из подходящего ионофора (рис. 7.7-4), он действует как ИСЭ. Электрический контакт получают с помощью электрода сравнения, как и в по-тенциометрических измерениях. Потенциалы, возникающие из приложенного напряжения затвора U3 и из ион-селективного слоя, складываются, и измеряе-

(МОПТ).

Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru

Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию