Решение задач по химии. Учебник по аналитической химии

Таблица 8.1-3. Влияние плотности штрихов (плоская решетка) и порядка на обратную линейную дисперсию (при 230 нм) для однометрового монохроматора (а — Р = 14,74°)

Следует заметить, что дисперсия зависит не только от порядка и плотности штрихов, но и зависит (слабо) от cos/З. Следовательно, хорошая линейная дисперсия получается при использовании большого числа штрихов и высоких порядков, но в ущерб диапазону длин волн, поскольку максимальная длина волны будет уменьшаться. В производимых дисперсионных системах дисперсия обычно находится в диапазоне 0,1-1 нм/мм.

Практическое разрешение дисперсионной системы характеризует ее способность разделять две близкие спектральные линии. Разрешение обычно выражают в единицах длин волн (пм), тогда как разрешающая сила — это отношение длины волны, при которой проводили измерения, к разрешению. Разрешающая сила, следовательно, является безразмерной величиной.

Практическое разрешение зависит от трех основных параметров:

— теоретического разрешения, ограниченного дифракцией решетки;

Благодаря явлениям дифракции, производимым штрихами решетки, даже монохроматический падающий свет будет приводить к дифракционной картине. Эта дифракционная картина (рис. 8.1-13) имеет главный максимум и ряд минимумов и максимумов. Две близкие монохроматические линии равной интенсивности дают две дифракционные картины. Теоретическое разрешение основано на критерии Рэлея: две дифракционные картины и, следовательно, две линии считают разрешенными, если первый максимум интенсивности первой картины соответствует первому минимуму второй картины (рис. 8.1-13).

В действительности такое определение теоретического разрешения довольно оптимистично, так как свертка двух дифракционных картин не приводит к их полному разрешению. Интенсивность минимума, расположенного между

Рис. 8.1-13. Разрешение двух дифракционных картин, сформированных двумя близкими линиями. В соответствии с критерием Рэлея две линии разрешены, если максимум первой картины (сплошная линия) соответствует первому минимуму второй картины (пунктирная линия). Разрешение ДАо есть расстояние между максимумами длин волн двух линий.

Если нужно решить контрольную по химии - обращайтесь к нам
Поможем быстро и качественно решить задачи по химии, выполнить контрольную работу или написать реферат. Консультируем по химии онлайн.

Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию

Главная страница сайта	Услуги решения задач по химии
Лекции по химии	Учебник - общая химия

Плотность штрихов, мм 1	2400	3600	2400	3600
Порядок	1	1	2	2
Обратная линейная дисперсия, нм/мм	0,382	0,235	0,157	0,061