Главная страница сайта | Услуги решения задач по химии |
Лекции по химии | Учебник - аналитическая химия |
дер-ваальсовским взаимодействием молекул. Это (с учетом теплового движения) вызывает большую размытость межфазных слоев, образованных ионами, сравнительно с молекулярными адсорбционными слоями, благодаря чему поверхность разрыва приобретает заметную толщину. С таким диффузным характером ионизированных адсорбционных слоев связаны важнейшие свойства дисперсных систем, в частности возникновение электрокинетических явлений (гл. IV) и устойчивость дисперсных систем (гл. VII, VIII). Другой существенной особенностью адсорбционных явлений в растворах электролитов (как правило водных) является то обстоятельство, что адсорбция всегда имеет конкурентный характер — помимо растворителя в системе присутствует по крайней мере два типа ионов (а с учетом диссоциации молекул растворителя — три или четыре), и конкуренция между ними определяет характер строения поверхности разрыва в подобных системах — возникновение пространственного разделения зарядов, называемого двойным электрическим (правильнее — ионным) слоем. Строение двойного электрического слоя подробно рассматривается в курсе электрохимии; в приводимом ниже рассмотрении основной акцент делается на тех аспектах проблемы, которые наиболее существенны для коллоидной химии.
В соответствии с простейшей моделью Гельмгольца пространственное разделение зарядов вблизи поверхности может рассматриваться как двойной электрический (ионный) слой, представляющий собой две параллельные обкладки заряженного конденсатора, разделенные прослойкой дисперсионной среды с некоторой средней (эффективной) толщиной 5. Одна обкладка конденсатора образована потенциалопре-деляющими ионами, закрепленными на самой поверхности, другая — противо-ионами, находящимися в среде. При этом ионы, одноименно заряженные с поверхностью — так называемые коионы, оттеснены в объем раствора. Такое разделение зарядов приводит к возникновению разности потенциалов Дер между контактирующими фазами и (в данной модели) к линейному падению потенциала между обкладками конденсатора (рис. Ш-8). к Современная теория строения двой-
Рис. ш-8. Схема строения ного электрического слоя, развитая в тру-двойного электрического слоя Дах I • Гуи, Д. Чепмена, О. Штерна, по Гельмгольцу А.Н. Фрумкина, Д. Грэма и др., основана
ф |
© |
0 |
|
ф\ |
© |
Ф \ |
© |
ф ^ |
V © |
Ф |
\ 0 |
ф |
\ © |
Ф |
|
0 |
Решение химии - помощь онлайн |
Современная квантовая химия |
Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru
Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию