нем достаточно медленно, и в каждый данный момент времени общий поток вещества через сферу любого радиуса R можно считать практически постоянным:

j4 = AnR2D- = const. dR

Интегрирование этого уравнения с использованием краевых условий с = cQ при R= г и с = с0 + Ac при R^>oo дает

v

Сопоставление полученного выражения с уравнением (VI. 20) показывает, что диффузия к сферической частице протекает подобно диффузии к плоской поверхности через слой раствора толщиной 8 = г.

Подставляя (VI.21) в (VI. 19), находим выражение для скорости роста частицы в диффузионном режиме:

dr _DAcV1n (IV.22)

dt г

Кинетический режим роста частиц характерен при кристаллизации. Дело в том, что присоединение атомов» (молекул, ионов — в зависимости от типа решетки растущего кристалла) к идеальной плоскости поверхности кристаллика связано с возникновением дополнительных затруднений, связанных с тем, что молекулы на поверхности кристаллика должны сгруппироваться в виде ячейки новой кристаллической плоскости. Возникающий зародышевый островок (двухмерный зародыш) имеет избыточную энергию, связанную с его боковыми поверхностями (рис. VI-28). Изменение энергии системы в процессе образования двухмерного зародыша квадратной формы со стороной d можно записать в виде

W(d) = 4ае</-bd2 Ист ~Ин .

Линейное натяжение боковой ступеньки-грани ав в этом случае приблизительно равно произведению удельной межфазной энергии на высоту зародыша (размер молеку-

Рис. VI-28. Схема двух- лы): 36 ~ Работа образования критиче-мерного зародыша ского двухмерного зародыша составляет:

Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru

Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию