_ 4аэУ. ^WbVn (VI.23)

*(Цст -Ин) Ист

соотношение (VI.23) выводится аналогично (VI. 14).

Отношение работ образования критических трехмерного и двухмерного зародышей, как показывает сопоставление выражений (VI. 14) и (VI.23), определяется безразмерной величиной aFm/(uCT - цн)£, которая может быть записана также в виде <т/)2/(Ист - ixH)(b /Vm), где числитель — это поверхностная энергия одной ячейки решетки кристалла, а знаменатель — разность химических потенциалов, отнесенная к одной молекуле. При малых пересыщениях работа образования трехмерного зародыша значительно выше работы образования двухмерного зародыша; между тем эта последняя величина достаточно существенна, чтобы заметно затруднить рост частиц новой фазы.

Экспериментальные исследования процессов кристаллизации показывают, что в реальных системах обычно не возникает существенных кинетических затруднений росту кристаллов при малых пересыщениях. Это связано с реальной дефектной структурой кристаллов и особенно с наличием в них специфических линейных дефектов, называемых винтовыми дислокациями. Такая дислокация превращает параллельные плоскости кристалла в единую спираль-геликоид (рис. VI-29). Поэтому рост кристалла, содержащего винтовую дислокацию, связан не с возникновением новых атомных плоскостей, а с продолжением наращивания спирали. При этом на поверхности кристалла все время остается ступенька, к которой новым атомам присоединяться выгоднее, чем к плоской поверхности кристалла. Так, в случае примитивной кубической решетки (рис. VI-30) атом на поверхности кристалла (положение А) взаимодействует лишь с одним, а у ступени (положение В) с двумя атомами. Еще более выгодно при-

Рис. VI-29. Выход винтовой дислокации Рис. VI-30. Схема пристройки атомов пр* на поверхность кристалла формировании новой атомной плоскости

Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru

Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию