собность отражать свет; при этом возникают так называемые первичные (обычные) черные пленки. Кроме того, с ростом концентрации электролита падает и высота энергетического барьера, который препятствует выходу пленки из этого состояния метастабильного равновесия, т. е. падает ее устойчивость. Тепловые колебания поверхности — возникновение на ней волн Мандельштама (см. VI. 1), содействуют преодолению потенциального барьера. Если при этом нет других факторов стабилизации, то такое (локальное) преодоление энергетического барьера приводит к прорыву пленки.

В случае высокоустойчивых пленок, стабилизированных адсорбционными слоями ПАВ, преодоление потенциального барьера не приводит, однако, к прорыву пленки, а вызывает возникновение нового метастабильно-равновесного состояния, отвечающего ближнему минимуму (рис. VII-10, точка В). При этом образуются весьма устойчивые очень тонкие вторичные (или ньютоновские) черные пленки. Изучение природы устойчивости черных пленок является одной из центральных задач современной коллоидной химии. Пока нет единых представлений о природе сил, определяющих высокую устойчивость черных пленок (см. VIII.2).

Из соотношений (VII.23) и (VII.24) следует, что значения П и A^J1n зависят от концентрации электролита; соответственно от концентрации электролита зависят высота и положение потенциального максимума (см. рис. VII-10), характеризующего устойчивость пленки. Добавление электролита в систему ведет к сжатию двойного электрического слоя и соответственно сужению области действия сил электростатического отталкивания. В результате максимум на кривой зависимости AJ11n(A) снижается вплоть до исчезновения и сдвигается в область меньших значений А. Снижение и сдвиг максимума отражают возрастание роли межмолекулярного притяжения, что ведет к понижению устойчивости пленки. Максимум на кривой зависимости А^пл(А) характеризует тот потенциальный барьер, который необходимо преодолеть, чтобы пленка начала самопроизвольно утоньшаться вплоть до ее прорыва. Применительно к дисперсной системе это отвечает коагуляции частиц в первичном минимуме.

При рассмотрении устойчивости высокодисперсных систем, стабилизированных диффузными ионными слоями, следует переходить от энергии на единицу площади пленки к общей энергии взаимодействия частиц иСф и сопоставлять высоту барьера итах с энергией теплового движения к Г. Чтобы воспользоваться решением для плоскопараллельных поверхностей, введем некоторую эффективную площадь

Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru

Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию