Главная страница сайта | Услуги решения задач по химии |
Лекции по химии | Учебник - аналитическая химия |
hc= 2/2Qc
контакта частиц S3^. Тогда высота барьера для частиц wmax может быть выражена как Д^^тах^эф- При сильно развитой диффузной части двойного электрического слоя максимум может быть достаточно велик по сравнению с к Г и энергетический барьер W1113X оказывается практически непреодолимым. Увеличение концентрации электролита приводит к постепенному снижению и затем исчезновению энергетического барьера. Условием потери системой агрегативной устойчивости можно считать Д^^тах^эф ^ к Г. Критическое условие полной потери устойчивости отождествляется с исчезновением барьера: Д^шОтах^эф = 0. Это означает, что А^т = 0 и (1(Д^пл)/йА = 0, т. е. точка максимума лежит на оси h (рис. VII-11). Отсюда следует:
6яА3
Рис. VII-11. Условие полной потери устойчивости при концентрации электролита п-пс
64псу2кТе~
(VII.26)
12яА'
где индекс с относится к критическим условиям исчезновения энергетического барьера.
Деля выражение (VII.25) на (VII.26), находим
авс = 2/Ас или hc = 2авс.
Подставляя найденное значение hc в выражение (VII.25) или (VII.26), получаем
64лсу2к7е"2 = А*авс3/48я.
2 2z о пс
Возводя это равенство в квадрат и учитывая, что ае с =--
ебпкГ
полу-
чаем выражение для критической концентрации электролита, которая отвечает исчезновению энергетического барьера:
(££0)3(кГ)У
(A*) Ve6
Решение химии - помощь онлайн |
Современная квантовая химия |
Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru
Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию