Главная страница сайта | Услуги решения задач по химии |
Лекции по химии | Учебник - аналитическая химия |
1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0
а= 1
а = 3
а = 1,2
4Ь П гФП
-7 -8 -7 -6 -5 -4 -8 -7 -6 -5 -4 -3 Ig^l(H)
/= 100 с а
1,0 а 0,8
Pl °'6 1 0,4
0,2 0
/=10 с
/=100 с
/=1000 с
П Jl п M
-8 -7 -6 -5 -4 -8 -7 -6 -5 -4 -8 -7 -6 -5 -4 -3
-—- Ig^i(H)
а = 1,8
б
Рис. IX-17. Гистограммы распределения прочности контактов между кристалликами двуводного гипса в пересыщенных растворах сульфата кальция при варьировании:
а — пересыщения раствора а; б — времени контактирования /
тактов и постепенному переходу их в фазовые (этому соответствовало бы плавное смещение максимума на гистограмме). Увеличение прочности происходит скачкообразно: появляется второй максимум, отстоящий от первого на несколько порядков рх и отвечающий появлению качественно новых, фазовых контактов, доля которых и средняя прочность увеличиваются по мере роста пересыщения и времени контактирования частиц. Постепенное перемещение вправо от этого второго максимума обусловлено разрастанием первичного кристаллизационного мостика, возникающего (флуктуаци-онно) в зазоре между частицами. Аналогичным образом удается проследить возникновение фазовых контактов при выделении частиц новой аморфной (неорганической и органической) фазы из метастабильного раствора, при взаимной пластической деформации частиц, при их спекании и т. д.
Поскольку контакты между частицами являются основными носителями прочности дисперсных структур, исследование закономерностей и механизма их формирования в различных физико-химических условиях служит научной основой для разработки эффективных методов управления механическими свойствами дисперсных структур и материалов.
В зависимости от преобладающего типа контактов между частицами дисперсные структуры условно можно разделить на две основ-
Решение химии - помощь онлайн |
Современная квантовая химия |
Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru
Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию