материалов, т. е. при перекристаллизации, сопровождающейся возникновением и разрастанием фазовых контактов между частицами, в условиях переменной влажности. Это осложняет многие важные технологические процессы, например засыпку емкостей.из бункеров, дозировку лекарственных препаратов, транспортировку и внесение минеральных удобрений, транспорт нефти при пониженных температурах из-за кристаллизации парафинов и т. д.

Таким образом, если в одних случаях (при получении материалов) требуется обеспечить оптимальное развитие кристаллизационной структуры, то в других, наоборот, необходимо создать физико-химические условия, предельно затрудняющие ее развитие.

Относительно простым и вместе с тем «классическим» примером образования кристаллизационной дисперсной структуры является твердение полуводного гипса при его взаимодействии с водой в соответствии с реакцией

CaSO4 • 1AH2O + I1AH2O = CaSO4 • 2H2O

В широком интервале температур двуводный гипс CaSO4 • 2H2O является термодинамически более стабильным соединением, чем полуводный. При температуре 2O0C растворимость дигидрата в воде составляет - 2 г/л, а полутидрата 6 — 8 г/л (в зависимости от модификации). Поэтому жидкая фаза достаточно концентрированной водной суспензии полуводного гипса, будучи насыщенным раствором по отношению к полугидрату, является сильно пересыщенным раствором по отношению к дигидрату. В этих условиях происходит выделение новой коллоидно-дисперсной фазы, состоящей из кристаллов дву-водного гипса, которые вместе с частицами исходного вяжущего вещества (полуводного гипса) первоначально образуют коагуляцион-ную структуру.

Снижение пересыщения вследствие выделения новой фазы компенсируется растворением новых порций полугидрата, так что кристаллы двуводного гипса образуются и растут в условиях поддерживающегося пересыщения раствора. Пересыщение и продолжительность его существования зависят от соотношения скорости поступления вещества в раствор за счет растворения полуводного гипса и скорости ухода вещества из раствора вследствие кристаллизации двуводного гипса. Наличие в растворе достаточно высокого пересыщения обусловливает возникновение зародышей кристаллизационных контактов между кристалликами двуводного гипса в местах их соприкосновения.

Быстрое увеличение числа и последующий рост первичных кристаллизационных мостиков, соединивших частицы, приводит к каче-

Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru

Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию