отбора информации). Это электронная оже-спектроскопия (ЭОС), дифракция медленных электронов (ДМЭ) дифракция отраженных быстрых электронов (ДОБЭ) и отражательная электронная микроскопия (ОЭМ). Их используют для анализа поверхности (объемных) образцов. Методы второй группы обладают довольно плохим разрешением по глубине, но высоким пространственным разрешением. Это растровая электронная микроскопия (РЭМ), электронно-зондовый микроанализ (ЭЗМА), просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ), дифракция прошедших быстрых электронов (ДПБЭ) и спектроскопия (характеристических) потерь энергии прошедших электронов (СПЭПЭ). При помощи этих методов анализируют микро- и наноучастки материалов; таким образом, они пригодны для анализа тонких пленок и межфазных границ.

По сравнению с фотонно-зондовыми методами, электронно-зондовые методы обладают рядом особенностей:

— Сечение взаимодействия электронов с атомами обычно велико, что приводит к интенсивным аналитическим сигналам. Значительная интенсивность сигналов также объясняется вакуумными условиями проведения измерений (р < Ю-5 мбар).

— Электронный пучок можно сфокусировать до пятна диаметром от 1 нм до 100 нм (в зависимости от интенсивности пучка) и, следовательно, достичь высокого пространственного разрешения анализа.

□ Сечение взаимодействия электронов с атомами обычно велико, что как правило, приводит к интенсивным аналитическим сигналам. Электронный пучок можно сфокусировать до пятна очень малого диаметра от 1 до 100 нм.

Некоторые методы, перечисленные в табл. 10.2-1, часто комбинируют (например, в одном приборе). Поэтому мы сначала остановимся на фундаментальных процессах взаимодействия электронов с веществом и возникающих аналитических сигналах. Далее мы рассмотрим, как эти аналитические сигналы используются в аналитических методах. Мы обсудим следующие методы:

— электронно-зондовый микроанализ (ЭЗМА) и растровую электронную микроскопию (РЭМ);

— аналитическую электронную микроскопию (АЭМ), включающую методы просвечивающей микроскопии (ПЭМ), дифракцию прошедших быстрых электронов (ДПБЭ), спектроскопию характеристических потерь энергии прошедших электронов (СПЭПЭ) и рентгеновский микроанализ;

— электронную оже-спектроскопию (ЭОС).

10.2.1. Основы теории электронно-зондовых методов Проникновение электронов в твердое тело

При столкновении с поверхностью твердого тела электроны испытывают упругие и неупругие взаимодействия (табл. 10.2-1). Упругое рассеяние приводит к отклонению электронов и явлениям дифракции. Неупругие процессы приводят главным образом к возбуждению электронных уровней и плазмонов

Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru

Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию