Главная страница сайта | Услуги решения задач по химии |
Лекции по химии | Учебник - общая химия |
Таблица 10.2-1. Электронно-зондовые методы
Фундамен- Механизм талъный генерации процесс_сигнала
Энергия электронов
Метод
Области применения
Упругие взаимодействия Рассеяние Отклонение прошедших электронов
100-1000 кэВ
Отклонение отра- 100 кэВ женных электронов
20 эВ
Дифракция
Неупругие взаимодействия Поглощение Возбуждение
колебательных уровней
20 кэВ 100 кэВ
1-5 кэВ 10 кэВ
5эВ
100 кэВ
Эмиссия
Возбуждение электронных уровней и плаз-монов
Релаксация возбужденных электронных состояний посредством испускания:
фотонов 20 кэВ
оже-электронов 5 кэВ
вторичных элек- 20 кэВ тронов
Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ)
Отражательная электронная микроскопия (ОЭМ)
Электронная микроскопия медленных электронов (ЭММЭ) или режим
регистрации вторичных электронов в РЭМ
Микроскопия отраженных электронов (МОЭ)
Дифракция прошедших быстрых электронов (ДПБЭ)
Дифракция медленных электронов (ДМЭ) Дифракция отраженных быст-электронов
Изображение внутренней структуры тонких образцов Изображение структуры поверхности
Исследование кристаллической структуры, параметров решетки
Спектроскопия Молекулярный потерь энергии анализ поверх-отраженных ности электронов (СПЭОЭ)
Спектроскопии Элементный нано-потерь энер- анализ гии прошедших электронов (СПЭПЭ)
Электронно-зондовый микроанализ
Электронная оже-спектроскопия (ЭОС)
Растровая электронная микроскопия (РЭМ)
Элементный роанализ
элементный анализ поверхности с нанометровым разрешением,
Изучение морфологии и топологии поверхности (получение изображений)
|
Если нужно решить контрольную по химии - обращайтесь к нам |
Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru
Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию