Таблица 10.2-1. Электронно-зондовые методы

Фундамен- Механизм талъный генерации процесс_сигнала

Энергия электронов

Метод

Области применения

Упругие взаимодействия Рассеяние Отклонение прошедших электронов

100-1000 кэВ

Отклонение отра- 100 кэВ женных электронов

20 эВ

Дифракция

Неупругие взаимодействия Поглощение Возбуждение

колебательных уровней

20 кэВ 100 кэВ

1-5 кэВ 10 кэВ

5эВ

100 кэВ

Эмиссия

Возбуждение электронных уровней и плаз-монов

Релаксация возбужденных электронных состояний посредством испускания:

фотонов 20 кэВ

оже-электронов 5 кэВ

вторичных элек- 20 кэВ тронов

Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ)

Отражательная электронная микроскопия (ОЭМ)

Электронная микроскопия медленных электронов (ЭММЭ) или режим

регистрации вторичных электронов в РЭМ

Микроскопия отраженных электронов (МОЭ)

Дифракция прошедших быстрых электронов (ДПБЭ)

Дифракция медленных электронов (ДМЭ) Дифракция отраженных быст-электронов

Изображение внутренней структуры тонких образцов Изображение структуры поверхности

Исследование кристаллической структуры, параметров решетки

Спектроскопия Молекулярный потерь энергии анализ поверх-отраженных ности электронов (СПЭОЭ)

Спектроскопии Элементный нано-потерь энер- анализ гии прошедших электронов (СПЭПЭ)

Электронно-зондовый микроанализ

Электронная оже-спектроскопия (ЭОС)

Растровая электронная микроскопия (РЭМ)

Элементный роанализ

элементный анализ поверхности с нанометровым разрешением,

Изучение морфологии и топологии поверхности (получение изображений)

Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru

Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию