Главная страница сайта | Услуги решения задач по химии |
Лекции по химии | Учебник - общая химия |
10 мкм
Рис. 10.2-2. Упругое рассеяние электронов: фотография в отраженных электронах эвтектики сплава карбид хрома/железо, на которой видны микроструктуры вследствие контраста, зависящего от среднего атомного номера (темная часть — карбид хрома, светлая — железо).
Рис. 10.2-3. Упругое рассеяние электронов: фотография в прошедших электронах поперечного сечения тонкослойной структуры, состоящей из слоев кремния и оксида кремния.
и использовании методов обработки изображения) также характеризуется Z-контрастом и позволяет различить нанообласти с различным средним атомным номером. Этот эффект частично формирует изображение в просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) (рис. 10.2-3). Другой важный вклад в формирование контраста изображения в ПЭМ вносят дифракционные эффекты, вследствие чего интенсивность сигнала в точке изображения сильно зависит от ориентации кристаллов, расположенных под углами, близкими к углам Брэгга (т. е. от ориентации плоскостей кристаллической решетки). Деформация полей вблизи дислокаций и других пространственных эффектов также приводит к
|
Если нужно решить контрольную по химии - обращайтесь к нам |
Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru
Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию