Решение задач по химии. Учебник по аналитической химии

характеристическому контрасту. Таким образом, обычные получаемые методом ПЭМ фотографии отображают наноструктуру материала.

Это простое описание процессов рассеяния можно расширить для объяснения получаемых в ПЭМ изображений решетки или атомов (как показано на рис. 10.2-3). Изображение с атомным разрешением основано на когерентной интерференции электронных волн образца и волн рассеянных электронов, приводящей к возникновению участков с интенсивностью, которая коррелирует с расположением атома и распределением интенсивности рассеянных электронов.

□ Дифракционные картины можно использовать для определения межплоскостных расстояний в кристалле.

Рассеяние под углами Брэгга приводит к появлению картин электронной дифракции, которые можно измерить либо в режиме отражения (ДМЭ, ДОБЭ), либо пропускания (ДПБЭ). Точечная картина (рис. 10.2-4) формируется, если выполняется условие Брэгга

где п — порядок дифракции, А — длина волны, d — межплоскостное расстояние решетки.

Дифракционные картины поликристаллических материалов представляют собой концентрические кольца. Для аморфных материалов наблюдаются лишь

Рис. 10.2-4. ДПБЭ: Картины дифракции прошедших электронов, а — монокристалл; б — поликристаллический материал; в — аморфный материал [10.2-2].

Если нужно решить контрольную по химии - обращайтесь к нам
Поможем быстро и качественно решить задачи по химии, выполнить контрольную работу или написать реферат. Консультируем по химии онлайн.

Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию

Главная страница сайта	Услуги решения задач по химии
Лекции по химии	Учебник - общая химия