Главная страница сайта Услуги решения задач по химии
Лекции по химии Учебник - общая химия


диффузные круговые гало, отражающие вариации в межатомных расстояниях, типичные для аморфного материала..

Из точечных и кольцевых картин можно извлечь информацию о межплоскостном параметре решетки, оценивая расстояния между точками дифракции или кольцами и используя геометрическое соотношение между в и проекционным расстоянием:

\L = Rd

где L — расстояние между образцом и экраном наблюдения, R — радиус дифракционного кольца.

Подобным образом можно анализировать дифракционные картины, полученные методом ДМЭ.

Картины дифракции прошедших электронов служат главным образом средством для определения структуры кристаллов наноучастков материала. Определенные параметры решетки являются также ценной дополнительной информацией для аналитической идентификации фаз. Минимальный размер фаз, необходимый для формирования дифракционной картины, составляет величину порядка 20 нм.

Дифракционные картины отраженных электронов позволяют определить межатомные расстояния верхнего монослоя [10-5]. Для двумерного атомного слоя с межмолекулярными расстояниями а и b дифракционные условия для обоих расстояний, принимая во внимание только первый порядок дифракции, выполняются, если

А = asin6a А = osin#0

Это означает, что прибор регистрирует двумерную совокупность точек, характеризующих периодичность атомов в решетке и общую симметрию. Участки с различными реальными расстояниями дают разные дифракционные картины.

Метод ДМЭ особенно важен для изучения процессов адсорбции или сегрегации. Его часто комбинируют с ЭОС в одном приборе.

Неулругие взаимодействия электронов с веществом

При неупругих взаимодействиях часть кинетической энергии падающих электронов превращается в потенциальную энергию в результате возбуждения электронных или колебательных уровней атомов мишени. При низких энергиях (порядка электронвольт) доминируют неупругие процессы возбуждения колебательных уровней и плазмонов. При более высоких энергиях (килоэлектронвольты) энергетические потери электронов, проходящих через вещество, обусловлены в основном ионизацией и возбуждением плазмонов. Возбуждение колебаний и плазмонов и ионизация приводят к дискретным потерям энергии и, следовательно, к четким «полосам поглощения» в энергетическом спектре исходно моноэнергетического электронного пучка. Эти процессы лежат в основе спектроскопии характеристических потерь энергии прошедших электронов (СПЭПЭ).



 

Вернуться в меню книги (стр. 301-400)

 

Если нужно решить контрольную по химии - обращайтесь к нам
Поможем быстро и качественно решить задачи по химии, выполнить контрольную работу или написать реферат. Консультируем по химии онлайн.

 

Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru

Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию