Главная страница сайта Услуги решения задач по химии
Лекции по химии Учебник - общая химия


образце и образце сравнения. Для первого приближения используют интенсивности чистых элементов или их стехиометрических соединений:

где знак звездочки обозначает образец сравнения.

□ Аналитическая правильность обычно составляет 1-10%.

Этот простой вычислительный алгоритм позволяет определить концентрацию с правильностью от 1 до 10%, зависящей от того, насколько близки по составу исследуемый образец и образец сравнения.

Для учета различных процессов ионизации (потерь энергии), отражения электронов, поглощения рентгеновского излучения и эффектов вторичной флуоресценции в исследуемом образце и образце сравнения разработана специальная процедура коррекции (ZAF-коррекция). С использованием этой процедуры можно достичь правильности менее 1% (за исключением элементов с низкими Z, когда влияние матрицы слишком велико). Таким образом, ЭЗМА является одним из наиболее точных методов количественного анализа твердых образцов. Пределы обнаружения элемента находятся на уровне 0,01-0,1% в анализируемом объеме порядка нескольких мкм3.

Можно проводить пространственный распределительный анализ, сканируя электронным пучком линию на образце или определенную площадь. Такая возможность особенно важна для микроструктурного химического анализа материалов. Пример показан на рис. 10.2-10.

Сочетание сигналов вторичных электронов, дающих изображение топографии поверхности, и сигналов отраженных электронов, дающих картину распределения среднего атомного номера, с качественным и количественным рентгеновским анализом делают ЭЗМА важнейшим методом анализа твердых тел. Он стал рутинным для решения любых типов задач и анализа любых типов материалов (идентификация частиц в металлах, фаз в геологических объектах, пылевых токсичных частиц, асбестовых волокон). Главным ограничением метода является размер аналитического объема—обычно 1-3 мкм диметром и глубиной, что мешает проводить количественный рентгеновский анализ на-нофаз, хотя их можно увидеть, используя сигналы вторичных или отраженных электронов. Можно детектировать поверхностные слои толщиной не менее нескольких нанометров, но провести селективный анализ в этом случае не представляется возможным, и очевидно, что необходимо использовать другие методы — аналитическую электронную микроскопию и электронную оже-спектроскопию для микроанализа с высоким разрешением по глубине (единицы нанометров).

Главные области использования ЭЗМА для анализа поверхности:

- получение изображения топографии поверхности с высоким пространственным разрешением в режиме детектирования вторичных электронов;

— композиционный анализ тонких пленок, основанный на использовании отношений интенсивностей рентгеновского излучения;



 

Вернуться в меню книги (стр. 301-400)

 

Если нужно решить контрольную по химии - обращайтесь к нам
Поможем быстро и качественно решить задачи по химии, выполнить контрольную работу или написать реферат. Консультируем по химии онлайн.

 

Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru

Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию