Главная страница сайта Услуги решения задач по химии
Лекции по химии Учебник - общая химия


ду различными областями анализируемой зоны, что приводит к ухудшению разрешения по глубине («эффекты селективного распыления»). Разрешение по глубине зависит от массы первичных ионов, их энергии, угла падения. Для идеальных образцов (например, пленки ТагОб на тантале) разрешение по глубине при послойном анализе составляет 5-10 нм при обычных аналитических условиях.

Несмотря на ряд серьезных проблем, возникающих при количественном послойном анализе, этот метод чрезвычайно важен для многих задач материаловедения, когда требуется знать распределение элементов по глубине. Также часто во многих задачах бывает достаточно качественной или полуколичественной оценки. Послойный анализ используется практически для всех видов материалов, но особенно важен в технологии тонких пленок, металлургии и микроэлектронике. На рис. 10.2-16 приведены в качестве примера поперечное сечение многослойной структуры микроэлектронного устройства, состоящего из слоев TaSi2/поликристаллический KpeMHHU/SiCb/Si, до и после отжига (фотографии, полученные методом ПЭМ) и количественный профиль по глубине отожженного образца (полученный методом ЭОС в сочетании с ионным травлением) [10.2-4]. Фотографии и профили свидетельствуют о том, что слои тантала и кремния, полученные методом распыления (рис. 10.2-16,а), прореагировали до стехиометрического соединения TaSi2 в процессе отжига, а защитный слой оксида кремния сформировался на поверхности слоя TaSi2 при условиях этого процесса.

Этот пример демонстрирует успешное сочетание методов ОЭС и ПЭМ, поскольку ПЭМ характеризуется чрезвычайно высоким пространственным разрешением (и разрешением по глубине для срезов образцов), а ОЭС позволяет определить химический состав слоя.

Послойный анализ как средство анализа тонких слоев позволяет работать с поверхностными зонами от одного атомного слоя до слоев в несколько микрометров толщиной.

10.3. ИОННО-ЗОНДОВЫЕ МЕТОДЫ

Общим принципом ионно-зондовых методов является облучение образца (мишени) ионным пучком (первичными ионами) в диапазоне энергий от нескольких сотен электронвольт до нескольких мегаэлектронвольт. В зависимости от величин кинетической энергии и от комбинации первичные частицы/мишень могут преобладать различные взаимодействия, которые приводят к возникновению различных аналитических сигналов (табл. 10.3-1).

Если мишень бомбардируют частицами с низкой массой (например, Не2+, М = 4), преобладают упругие кулоновские взаимодействия между ядрами, приводящие к упругому рассеянию первичных ионов под большими углами. Измерение спектров потерь энергии отраженных первичных ионов является основой методов спектроскопии рассеяния. Взаимодействия между ядрами наиболее ярко выражены при высоких энергиях первичных ионов (1-3 Мэв). В этой области работает спектрометрия резерфордовского обратного рассе-



 

Вернуться в меню книги (стр. 301-400)

 

Если нужно решить контрольную по химии - обращайтесь к нам
Поможем быстро и качественно решить задачи по химии, выполнить контрольную работу или написать реферат. Консультируем по химии онлайн.

 

Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru

Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию