100

%

80

я

X

v

Я 40

3

Полккристаллический о SIQ2 j T«»l2 j кремний | О | 81

ОЭС профиль

20

0 36 72 108 144 180 мин

Рис. 10.2-16. ОЭС: Анализ тонкопленочной структуры микроэлектронного устройства методом ОЭС и поперечного среза этой структуры методом ПЭМ. о—ПЭМ-фотография системы слоев до отжига, на которой видна последовательность слоев (сверху вниз): приблизительно 20 слоев Та и 20 слоев Si толщиной 5 нм каждый, полученные распылением, слой поликристаллического кремния 275 нм толщиной, слой БЮг толщиной около 50 нм, кремниевая подложка; б— ПЭМ-фотография образца после отжига при 900° С, на которой видны образовавшиеся новые слои (сверху вниз): поликристаллический силицид тантала толщиной около 200 нм, слой поликристаллического кремния толщиной около 250 нм, слой s1o2 толщиной около 50 нм, кремниевая подложка; е — количественное распределение по глубине, полученное методом ЭОС, кислорода, кремния и тантала, свидетельствующее о формировании слоя оксида кремния на поверхности стехиометрического TaSi2 [10.2-4].

яния (POP). Ионы, обладающие энергиями порядка нескольких сотен килоэлектронвольт, взаимодействуют с потенциалами ядер, которые экранированы электронами в атоме, на которых происходит обратное рассеяние. На этом эффекте основана спектрометрия рассеяния ионов средних энергий MEIS. Эффект экранирования наиболее значим при энергиях нижней части килоэлек-тронвольтного диапазона—-он приводит к нейтрализации падающих ионов в пределах верхнего атомного слоя. Таким образом, в спектрометрии рассеяния медленных ионов (РМИ) аналитический сигнал генерируется только во внешнем атомном слое.

Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru

Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию