Главная страница сайта Услуги решения задач по химии
Лекции по химии Учебник - общая химия


нок на легких подложках, например силицидов металлов на кремнии. В этом случае измеряют отношение интенсивностей (обычно) двух элементов:

Ia = NA ста /в Nb о~в Поскольку о пропорционально Z2, можно записать:

Na = Ia {ZbV Nb Ib ' \Za)

Интегральная интенсивность представляет собой произведение ширины пика (АЕ) на высоту пика (Н). Для тонких пленок ширина пика АЕ постоянна для обоих элементов, следовательно:

Na^Ha (Zb\2 Nb ~ Яв ' \Za)

Используя этот простой способ, можно достичь погрешности анализа около 5%. Для более высокой правильности нужно проводить интегрирование пиков и использовать точные значения сечений рассеяния. В этом случае состав тонких пленок можно определить с погрешностью 1-2%.

Если из спектров POP можно оценить глубину и количественную информацию, то можно проводить и (неразрушающий) количественный послойный анализ и определение характеристик тонких пленок (по глубине). На рис. 10.3-6 приведен пример, в котором методом POP определяли стехио-

Рис. 10.3-6. POP: Спектры обратного рассеяния ионов на кремнии с тонкой пленкой никеля (1000 А), о — в случае четкой границы; б — после отжига, приведшего к образованию более толстого слоя N12 Si. Оценив АЕ из толщины пленки и зная интегральные площади пиков (заштрихованная область), можно определить стехиометрию слоя силицида, образовавшегося при отжиге [10-5].



 

Вернуться в меню книги (стр. 301-400)

 

Если нужно решить контрольную по химии - обращайтесь к нам
Поможем быстро и качественно решить задачи по химии, выполнить контрольную работу или написать реферат. Консультируем по химии онлайн.

 

Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru

Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию