| Главная страница сайта | Услуги решения задач по химии |
| Лекции по химии | Учебник - общая химия |
нок на легких подложках, например силицидов металлов на кремнии. В этом случае измеряют отношение интенсивностей (обычно) двух элементов:
Ia = NA ста /в Nb о~в Поскольку о пропорционально Z2, можно записать:
Na = Ia {ZbV Nb Ib ' \Za)
Интегральная интенсивность представляет собой произведение ширины пика (АЕ) на высоту пика (Н). Для тонких пленок ширина пика АЕ постоянна для обоих элементов, следовательно:
Na^Ha (Zb\2 Nb ~ Яв ' \Za)
Используя этот простой способ, можно достичь погрешности анализа около 5%. Для более высокой правильности нужно проводить интегрирование пиков и использовать точные значения сечений рассеяния. В этом случае состав тонких пленок можно определить с погрешностью 1-2%.
Если из спектров POP можно оценить глубину и количественную информацию, то можно проводить и (неразрушающий) количественный послойный анализ и определение характеристик тонких пленок (по глубине). На рис. 10.3-6 приведен пример, в котором методом POP определяли стехио-
Рис. 10.3-6. POP: Спектры обратного рассеяния ионов на кремнии с тонкой пленкой никеля (1000 А), о — в случае четкой границы; б — после отжига, приведшего к образованию более толстого слоя N12 Si. Оценив АЕ из толщины пленки и зная интегральные площади пиков (заштрихованная область), можно определить стехиометрию слоя силицида, образовавшегося при отжиге [10-5].
|
Если нужно решить контрольную по химии - обращайтесь к нам |
Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru
Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию