имплантации ионных частиц. Например, при распылении ионами благородного газа интенсивность вторичных ионов В+ в SiC-2 приблизительно в 1000 раз больше, чем в Si (при одинаковой концентрации бора). При распылении ионами кислорода, падающими под углом 60° (измеренным по отношению к поверхности) сигнал бора в кремнии возрастает почти в 50 раз благодаря влиянию имплантированного кислорода. Таким образом, отношение сигнала В+ в SiC>2 и Si составляет уже всего 20. Если работать при нормальном падении пучка кислорода, то концентрация имплантированного кислорода в кремнии будет соответствовать концентрации кислорода в SiCb, так что интенсивности сигнала В+ будут одинаковы в обоих случаях.

Этот пример свидетельствует о двух особенностях метода МСВИ:

— На выход вторичных ионов можно существенным образом влиять, бомбардируя образец реакционными ионами. В результате использования кислорода в качестве первичного пучка можно увеличить выход положительных вторичных ионов на два порядка величины (достигнув максимума при условии, что поверхность насыщена кислородом эквивалентно оксидному состоянию). Цезиевые пучки увеличивают выход отрицательных вторичных ионов на несколько порядков величины. На практике для достижения максимальной чувствительности используют оба типа пучков: электроположительные элементы анализируют в режиме положительных ионов при бомбардировке кислородом, а электроотрицательные элементы анализируют в режиме отрицательных ионов при бомбардировке ионами цезия.

- Химические матричные эффекты можно устранить или уменьшить бомбардировкой реакционными ионами.

Главным следствием зависимости выхода вторичных ионов от химического состава поверхности (состава матрицы) является тот факт, что для количественного анализа необходимо определить коэффициенты относительной чувствительности при помощи внутреннего или внешнего стандарта, близкого по составу к анализируемому образцу [10-3.6]. Градуировка по внутреннему стандарту применима для послойного анализа, если общее количество определяемого элемента известно, как, например, в случае ионно-имплантированных примесей в кремнии (из измерений подвижности, в результате которых определяют общее количество имплантированных ионов на единице площади). Далее получают коэффициент относительной чувствительности, интегрируя полученный профиль по глубине. Это значение пропорционально подвижности элемента, которую обычно выражают как общее число ионов на см2.

□ МСВИ применяется для решения тех задач, которые нельзя решить менее сложными методами.

Образец сравнения, используемый в качестве внешнего стандарта, должен быть очень сходен по составу с анализируемым образцом. Вследствие этого для приготовления образцов сравнения обычно проводят ионную имплантацию или легирование матрицы. Для исследования легированых материалов требуется всесторонний анализ образцов сравнения. Часто не хватает образцов сравнения или аналитических методов сравнения. Все эти проблемы дела-

Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru

Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию