Решение задач по химии. Учебник по аналитической химии

Наиболее важной задачей для МСВИ является анализ полупроводников, особенно анализ распределения (по глубине) легирующих примесей. Поскольку распределение легирующих примесей (таких, как В, Р, As, Sb в кремнии и Si, Be в GaAs) определяет электрические и другие свойства, информация об этом параметре важна для разработки и производства устройств микроэлектроники.

Пределы обнаружения для послойного анализа находятся в интервале 1014-1015 атом/см3. Аналитическая точность (правильность) определения концентраций при послойном анализе составляет около 5-20%, что в шкале глубин составляет 5-10 нм.

Диэлектрики обычно заряжаются положительно при бомбардировке вследствие эмиссии электронов с поверхности образца. Эффект зарядки можно уменьшить использованием отрицательных первичных ионов (О-) и устранить практически во всех случаях при помощи одновременной электронной бомбардировки во время анализа. МСВИ в этом отношении имеет существенное преимущество перед ОЭС. Несколько важных применений МСВИ для анализа диэлектриков связаны с композиционным анализом керамических покрытий (полученных, например, нанесением методом химического испарения) или стекол (для изучения явлений ионного обмена на поверхности).

Высокие локальные электрические поля на поверхности материала могут привести к процессам ионизации либо газов, контактирующих с поверхностью, либо атомов самого материала. Эти процессы составляют основу полевой ионной микроскопии (ПИМ) и ПИМ с атомным зондом. Другое влияние высоких локальных полей заключается в эффекте индуцирования электрических токов, который лежит в основе сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). В принципе, различные методы сканирующей силовой микроскопии, наиболее важным из которых является атомная силовая микроскопия (АСМ), также принадлежат к этой группе, поскольку измеряемые силы тоже возникают в результате действия локализованных электрических полей. В табл. 10.4-1 приведен обзор полевых зондовых методов. Однако благодаря уникальным свойствам СТМ и АСМ эти методы рассмотрены отдельно в разд. 10.5 («Методы сканирующей зондовой микроскопии»).

Полевая ионная микроскопия (ПИМ) и ПИМ с атомным зондом

□ Методом ПИМ можно достичь разрешения на уровне атомов в реальных образцах.

Метод ПИМ, разработанный Мюллером [10.4-1], основан на ионизации атомов гелия на острие тонкой металлической иглы (радиусом несколько нанометров) с приложенным положительным потенциалом такой величины, чтобы на поверхности создавалось поле порядка 5 • 108 В/см. Образовавшиеся ионизированные атомы гелия ускоряются по направлению к экрану наблю-

Если нужно решить контрольную по химии - обращайтесь к нам
Поможем быстро и качественно решить задачи по химии, выполнить контрольную работу или написать реферат. Консультируем по химии онлайн.

Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию

Главная страница сайта	Услуги решения задач по химии
Лекции по химии	Учебник - общая химия