Рис. 10.5-5. СТМ: Фотография одного адсорбированного атома кислорода на поверхности арсенида галлия (а). Кривые dl/dV получены для свободных областей поверхности и занятых кислородом (б) [10.5-10].

СТМ превосходит РЭМ более чем на два порядка. Кроме того, СТМ гораздо лучше подходит для измерения вертикальных структур на поверхности образца, например ступенек на плоских поверхностях. Изображение топографии с высоким разрешением очень важно для решения многих проблем и задач материаловедения и фундаментальных исследований (например, при травлении, полировании металлических поверхностей, в электродных процессах, восстановлении формы поверхности и образовании террас).

Оценка спектроскопических возможностей имеет большое значение для дальнейшей работы с атомным разрешением и является основной целью аналитической химии поверхности. Главная проблема заключается в том, что локальный потенциальный барьер не специфичен для определенного элемента. Таким образом, анализ все еще ограничен в большой степени случаями, когда компоненты известны. На рис. 10.5-5 видно, как единственный атом кислорода, адсорбированный на поверхности арсенида галлия, четко наблюдается на СТМ-фотографии (режим ТПТ). Кривая dl/dU для поверхности арсенида галлия с адсорбированным атомом кислорода отличается от аналогичной кривой для чистого арсенида галлия.

□ Главный аналитический недостаток СТМ заключается в его применимости только к проводящим образцам.

Одним из главных недостатков СТМ является тот факт, что нельзя анализировать диэлектрики. Другой недостаток заключается в возможности возникновения эффектов, индуцированных полем, особенно при работе с высокими напряжениями. Оба ограничения преодолеваются в методе атомной силовой микроскопии (АСМ), которую мы рассмотрим в следующем разделе.

Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru

Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию