ную амплитуду), так как она пропорциональна величине Ffikl. Наблюдаемые структурные амплитуды \(Fhki)o\ (или |Fo|) можно получить из величин /ш по уравнению 11.2-8:

□ Наблюдаемые структурные амплитуды \Fq\ получают расчетным путем из экспериментально определенных интенсивностей 1ш-

В данном уравнении К представляет собой масштабный коэффициент, необходимый для того, чтобы привести экспериментальные данные (полученные в произвольном масштабе, зависящем от размера кристалла и интенсивности пучка рентгеновского излучения) к абсолютному масштабу рассеяния (величины /), используемому при определении расчетных структурных амплитуд \(Fhki)c\ (или \FC\) из известных координат атомов Xj, yj, Zj с использованием уравнения 11.2-7. Фактор А представляет собой коэффициент коррекции на поглощение рентгеновского излучения в соответствии с законом Бу-гера—Ламберта—Бера, который также должен учитывать размер и характер (распределение сходных по симметрии граней) кристалла. Фактор Лоренца L компенсирует разницу в эффективных временах измерения для брэгговских отражений и зависит от брэгговского угла в и схемы экспериментальной установки. Р — поляризационный фактор, который позволяет учесть тот факт, что эффективность дифракции рентгеновских лучей зависит от поляризации падающего луча.

□ Распределение электронной плотности (xyz) в кристалле определяют при помощи обратного фурье-преобразования с коэффициентами Рш, расчет которых требует знания фазовых углов из структурной модели.

Уравнение 11.2-8 можно рассматривать как некое суммарное представление так называемой фазовой проблемы рентгеноструктурного анализа, а именно того факта, что фазовые углы фпы и, следовательно, структурные факторы Fhki нельзя измерить напрямую. Если бы это было возможным, то определение кристаллических структур представляло бы собой тривиальную процедуру, требующую лишь суммирования Фурье по выбранным узлам координатной сетки (xyz) в элементарной ячейке. Как обсуждалось выше, величины факторов атомного рассеяния / зависят от среднего распределения электронной плотности в кристаллической решетке для вовлеченных атомов. Функция электронной плотности p(xyz) в кристалле, следовательно, определяется обратным фурье-преобразованием (ур. 11.2-9) структурного фактора

(11.2-8)

p(xyz) = 77 $Z Fm exP{~2iri(hx + ky + lz)}

hkl

(11.2-9)

где Vc — объем элементарной ячейки. Альтернативное выражение (ур. 11.2-10) содержит в качестве коэффициентов легко доступные величины наблюдаемых

Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru

Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию