Главная страница сайта | Услуги решения задач по химии |
Лекции по химии | Учебник - общая химия |
структурных амплитуд |(Рш)о| (или \Fn\) и не измеряемые непосредственно фазовые углы:
p(xyz) = т/ S Е S * eMi<t>hki) ■ exp{-2m(hx + ку + lz)} (11.2-10)
Vc h к i
Как будет обсуждаться в разд. 11.2.3, существуют методы структурного решения, которые позволяют локализовать места размещения атомов в элементарной ячейке. Эти положения можно затем использовать для оценки величин фазовых углов фш (рис. 11.2-8,6) с использованием уравнений 11.2-5 и 11.2-6. После успешного нахождения и уточнения кристаллической структуры можно при помощи уравнения 11.2-10 построить карты распределения электронной плотности, при этом рассчитанные фазовые углы (фш)с и наблюдаемые структурные амплитуды |(.Рш)о| используют как коэффициенты ряда Фурье.
Дифракционная картина вещества описывается угловой позицией 26, характером симметрии и интенсивностью брэгговских отражений hkl. Существуют два экспериментальных метода регистрации дифракционных данных:
— дифракция на порошках,
— дифракция на монокристаллах.
При дифракции на порошках (разд. 11.2.2) микрокристаллические образцы, содержащие примерно 106 случайно ориентированных индивидуальных кристаллитов (размером 5 • Ю-5 — 5 • Ю-4 см), обеспечивают одномерные распределительные диаграммы «интенсивность — угол дифракции», которые могут быть использованы для идентификации веществ, определения их физических свойств, измерения размеров кристаллитов и в какой-то степени для выяснения кристаллической структуры. При дифракции на монокристаллах обычно требуются монокристаллы с размерами 0,1-0,6 мм; этот метод является стандартным вариантом рентгеноструктурного анализа (разд. 11.2.3).
11.2.2. Дифракция на порошках
□ Дифракция на порошках требует микрокристаллических образцов.
Дифракционное исследование порошков проводят при помощи монохроматического излучения, получаемого при помощи обычной вакуумированной рентгеновской трубки (например, с излучением СиКа) с присоединенным кристаллом-анализатором (например, из графита). Большое число кристаллитов в облучаемом образце гарантирует то, что они будут присутствовать во всех возможных ориентациях, и, таким образом, в принципе возможно зарегистрировать брэгговские отражения hkl для всех возможных межплоскостных расстояний решетки е?ш, соответствующих величинам 26 (ур. 11.2-1) в угловом диапазоне прибора. Дифрагировавшее рентгеновское излучение располагается в серии конусов, коаксиальных с направлением падающего пучка. Для разовых и постоянных исследований структурных и физических свойств соединений широко используются управляемые компьютерами автоматические дифрактометры. Однако до сих пор как в количественных, так и в качественных исследованиях порошковых образцов используют относительно недорогие
|
Если нужно решить контрольную по химии - обращайтесь к нам |
Copyright © 2007-2012 Zomber.Ru
Использование материалов сайта возможно при условии указания активной ссылки
Решить химию